濺射（shè）是（shì）一種（zhǒng）先進（jìn）的（de）薄膜材料製備技術, 它利（lì）用離子（zǐ）源產生的（de）離（lí）子, 在真空中加速聚集成高速離子流, 轟擊固體表麵, 離子和固體表麵的原子發生動能交（jiāo）換, 使固（gù）體表麵的原（yuán）子（zǐ）離開靶材並沉積在基材表麵, 從而形成（chéng）納米或微米薄膜（mó）。而被轟擊的固體是用濺射法（fǎ）沉積薄（báo）膜的原材料, 稱為濺射靶材。鎢靶材（cái）和鉬靶材可在各類基材上形成薄膜, 這種濺射膜廣泛用作電子部件和電子產品（pǐn）, 如目前廣泛應用的TFT - LCD ( 薄膜半導體管-液晶顯示器)、等離子顯示屏、無機光發射二極管顯示器、場發射（shè）顯示器（qì）、薄膜太陽能電池、傳感器、半導體裝置以及具（jù）有可調諧功函數CMOS(互補金屬氧化（huà）物半導體)的場效應晶體管柵極等 。
近年來，作為LCD(液晶顯示)、PDP(等離子顯示)等平麵顯示（shì）器的電極和配線材料的鉬係合金靶越來越（yuè）受到人們的關注。在TFt-LCD中，柵（shān）電極是一個關鍵部件，以前主要是用Cr／A1作為柵電極材料，隨著平麵顯（xiǎn）示器的大（dà）型化和高精度（dù）化，對材料的比阻抗要求越來越高，鉬（mù）的比阻抗和膜應力僅為鉻的1／2，同時，由於鉻在（zài）蝕刻過程中會產生六價態Cr，對環境（jìng）和健康有害，因（yīn）此現在越來越（yuè）多的公司改用（yòng）Mo／A1作為柵電極材料，這（zhè）樣對鉬靶材的需求也就越來越大。在鉬（mù）靶材的應用中，鉬合金的研（yán）究也越來越多，為進一步提高純鉬在耐腐蝕性(變色)和密著性(膜的（de）剝離)，在鉬中添加V、Nb、W、Ta則會使比電阻、應力及耐蝕性等（děng）各種性（xìng）能更好。
由（yóu）於使用（yòng）了熱等靜壓技（jì）術（shù），愛科麥生（shēng）產的鉬靶材的密（mì）度接（jiē）近理（lǐ）論密度，其組織均勻性及純度等指標均受到了客（kè）戶好評。
衡量靶材的質量主要因素有 純度、致密度（dù）、晶粒尺寸及分布等。在這些方麵，愛科麥投入了大量的資金和精力進行研（yán）發並取得了顯著成效。並形成了具有以下特點的生（shēng）產工藝（1）選擇高純鉬粉作為原料; ( 2)獨（dú）有的成形燒（shāo）結技術（shù）, 以保證靶材的（de）低孔隙率, 並（bìng）控製晶粒（lì）度; ( 3)製備過程嚴格控製（zhì）雜質元素的引入。（4）大尺寸鎢鉬材料的細晶軋製技術。（5）對部分高要求產品采用熱（rè）等靜壓方法，*大程度地獲得（dé）了靶材的良好性能。如此方法製得的鉬铌靶材獲得了95％～99％的極高密度細晶粒產品。
此外，愛科麥生產近期致（zhì）力（lì）於以下（xià）產品的研發並取得了突破：
1.產品（pǐn）大型化 生產出了單張尺寸規格為1 430mm *1 700mm *10 mm適合於（yú）G5代TFT鍍（dù）膜設備（bèi）的鉬及鉬鉭靶材。對於更（gèng）大的產品減（jiǎn）少了拚接的數量。
2.為適應市（shì）場提高靶材利用率需求，正在研發製造長度超（chāo）過3米的燒結旋轉靶材，此（cǐ）種（zhǒng）方法生產的鉬靶材與噴塗法相比，具有質密的優勢。
3.新興的鎢鈦靶材的研製