金屬有機物化學氣相澱積(簡稱MOCVD)是技術生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層(céng)單晶的主要方法。用氫氣或氮氣作為載氣,通(tōng)入液體中(zhōng)攜帶出蒸汽,與V族(zú)的氫化(huà)物(如NH3、PH3、AsH3)混合,通入反應(yīng)室,在加(jiā)熱的襯(chèn)底表麵發生反應,外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發光核心是一種稱為外延片(Epitaxial Slice)的複合材料,由於Mocvd技術在外延片上的成功運用,使得此種設備使用量迅速(sù)增加。
MOCVD機支架材料純度可以達到99.95%以(yǐ)上。