金屬有機物化學氣相澱積（簡（jiǎn）稱MOCVD）是技術生長III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層（céng）單晶的主要方法。用氫氣或（huò）氮氣作為載氣，通入液體中攜帶（dài）出蒸汽，與V族的氫（qīng）化物（如（rú）NH3、PH3、AsH3）混合，通入反應室，在（zài）加熱的襯底表麵（miàn）發生反應，外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發光核心（xīn）是一種稱為外延片（piàn）（Epitaxial Slice）的複（fù）合材料，由於Mocvd技術（shù）在外延片上的成功運用，使得此種設備使用量迅速增加。
由於MOCVD設備工作（zuò）時工作溫度高於（yú）2000℃，鎢及其（qí）合金（jīn）也是該設備發熱體外環等部分組件（jiàn）的優選材料。
早期MOCVD設備發熱體外環由（yóu）錸或鎢錸合金等材料製成，隨著此種設備的普及，出於降低成本要求（qiú），純鎢及鎢（wū）和一些稀（xī）土元素的合金材（cái）質製成的（de）發熱（rè）體外環逐步被用戶接受。