金屬有機物化學（xué）氣相澱積（簡稱（chēng）MOCVD）是技術生長III-V族，II-VI族化合物及合金（jīn）的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮氣（qì）作為載氣，通入液體中攜（xié）帶出蒸汽，與V族的氫化物（如NH3、PH3、AsH3）混合，通入反應室，在加熱的襯底表麵發生反應，外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發光核心是一種稱為（wéi）外延片（Epitaxial Slice）的複（fù）合材料，由於Mocvd技術在外延片上的成功運用，使得此種設備使用量（liàng）迅速增（zēng）加。
由於MOCVD設備工作（zuò）時工作（zuò）溫度高於2000℃，鎢（wū）鉬也（yě）是該（gāi）設備發熱體（tǐ）等（děng）部分組件的優選材料。
早期MOCVD設備發熱體由錸或鎢錸合金等材料製成，隨著此種設備的（de）普及，出於降低成（chéng）本（běn）要求，純鎢及鎢和一（yī）些稀土（tǔ）元素的合金材質製成的發熱體逐步被（bèi）用戶接受。