濺射是（shì）一種先進的薄膜材料（liào）製備技術, 它利用離子源產生（shēng）的離子, 在真空中加速聚集成（chéng）高速離子流, 轟擊（jī）固體表（biǎo）麵, 離子和固體表麵（miàn）的原子發生動能交換, 使固體表麵的原子離開靶材（cái）並沉積在基材表麵, 從而形成納（nà）米或微米薄膜。而被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材（cái）料, 稱為濺射靶（bǎ）材。鎢靶材和鉬靶材可在各類基材上形成薄膜, 這種濺射膜廣泛用（yòng）作電子部（bù）件和電子產品（pǐn）, 如目（mù）前廣泛應用的TFT - LCD ( 薄膜半（bàn）導體管-液晶（jīng）顯示器)、等離子顯示屏、無機光發射二極管顯示器、場發（fā）射顯示器、薄膜太陽能電池、傳感器、半導體裝置以及（jí）具有可調諧功函數CMOS(互補金屬氧化物半導體)的場效應晶體管柵極（jí）等 。
近年來，作為LCD(液晶顯示)、PDP(等離子顯（xiǎn）示)等平麵顯示器的電極和配線材料的鉬係合金靶越來越（yuè）受到（dào）人們的關注。在TFt-LCD中，柵電極是一個關鍵部件，以前（qián）主要是（shì）用Cr／A1作為柵電極材料，隨著平麵顯示器的大型化和高精度（dù）化（huà），對材料的比阻抗（kàng）要求越來越高（gāo），鉬的比阻抗和（hé）膜應力僅為鉻的1／2，同時，由於鉻在蝕刻過程（chéng）中會產生六價態Cr，對環境和健康有害，因此現（xiàn）在越來越（yuè）多的公司改用（yòng）Mo／A1作為柵電極材料，這樣對鉬靶材的需求也就越來越大。在鉬（mù）靶材的應用中，鉬合金的研究也越來越多，為進一步提高純鉬在耐（nài）腐蝕性(變色)和密著性(膜的剝（bāo）離（lí）)，在鉬中添加V、Nb、W、Ta則會使比電阻、應（yīng）力及耐蝕性等各種性（xìng）能更好。
鉬铌（ní）靶材（cái）正是在（zài）此種（zhǒng）認知基礎上*早（zǎo）被大批量運用的鉬合（hé）金靶材材料。隨之，鉬铌旋轉靶材的（de）市場需求日益增加。鉬铌旋轉靶材（cái）中通常铌含量（liàng）為5%或10%，通常用燒結方法製作，因铌在燒結過程中（zhōng）有明（míng）顯的吸氫現象，通常在真空燒結設（shè）備中完成。但傳統的（de）製（zhì）作方法生產出來的鉬铌旋轉（zhuǎn）靶材無法滿足飛速進步的平麵顯示器行業的質量要求，我公司采用了熱等（děng）靜壓等工藝對（duì）鉬铌旋轉靶材的性（xìng）能進行了改善，愛科麥生產的10%含量平麵（miàn）鉬铌靶材和鉬铌旋轉靶材密度可達9.7g/cm3 以上，其組織均勻性及純（chún）度等指標均受到了客戶好評。
衡量靶材的質量主要因素有 純度、致密度、晶粒尺寸及分布等。在這些方麵，愛科麥投入了大（dà）量的資金和精力進行研發並取得了顯（xiǎn）著成效（xiào）。並形成了具有以下特點的生產工藝（1）選（xuǎn）擇高（gāo）純鉬粉作為原料; ( 2)獨有的成形（xíng）燒結技術, 以（yǐ）保證靶材的低孔隙率, 並（bìng）控製晶粒度（dù）; ( 3)製備過程嚴格控製雜質元素的引入。（4）大（dà）尺寸鎢鉬材料的細晶軋製技術（shù）。（5）對部分高要求產品采用（yòng）熱等靜壓方法，*大程度地獲得了靶（bǎ）材的良好性能。如此方法製得的鉬铌旋轉（zhuǎn）靶材獲得了95％～99％的極高密度細晶粒產品。
此外，愛科麥生產近期（qī）致力於以下產品的研發並取得了突破：
1.產品大型化 生產出了（le）單張尺寸規格為1 430mm *1 700mm *10 mm適合於G5代（dài）TFT鍍膜設備的鉬及鉬鉭靶材。對於更大的產品減（jiǎn）少了拚接（jiē）的數量。
2.為適應市場提高靶材利用率需求，正在研發製造長度超過3米的燒結旋轉（zhuǎn）靶材，此種方法生產的鉬靶材與噴塗法相比，具有質密的優勢（shì）。
3.新（xīn）興的鎢鈦靶材的研製